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ISSN : 1226-0517(Print)
ISSN : 2288-9604(Online)
Journal of Korean Society for Imaging Science and Technology Vol.22 No.4 pp.14-19
DOI : http://dx.doi.org/10.14226/KSIST.2016.22.04.03

Optical properties of deep-red K2SiF6:Mn4+ phosphor

Heelack Choi,Youngwoo Jeong,Taewook Kang,Gemechu Deressa,Jongsu Kim,Daeweon Kim

Abstract

Deep-red K2SiF6:Mn4+ phosphor was synthesized by are doxreaction of SiO2 in/HF/KMnO4H2O solution. Under the 450 nm excitation, it shows an arrow deep-red emitting around 634 nm which is attributed to the 2Eg to 4A2g transition of Mn4+ ion with the halfwidth of 10nm. Its size was approximately 5 ㎛. It has a single phase of cubic structure with a space group of Fm-3m (225) with JCPDS # 85-1382. In the temperature dependence of emission spectra, their intensities decrease to 66 % of that at room temperature is about 175 ℃. These phosphors can be efficiently excited by the blue light‑emitting InGaN diode and provides a high color rendering property with green or yellow phosphors.

초록

적색 K2SiF6:Mn4+ 형광체는 SiO2 in/HF/KMnO4H2O solution 용액의 산화환원 반응에 의해 합성된다. 이 형광체 는 450 nm 이하의 파장에서 여기되어 Mn4+의 2Eg → 4A2g에 의해 반치폭이 10 nm인 약 634 nm의 적색 빛을 발광한다. 입자의 크기는 약 5 ㎛이고 결정구조는 Fm-3m (225)의 공간군을 가지는 입방정계이다 (JCPDS85-1382). 온도의존 발광 스펙트럼에서는 약 175 ℃에서의 발광강도가 상온에서보다 66 %까지 감소하였다. 이 형광체는 청색 발광을 하는 InGaN LED에 의해 효과적으로 여기 될 수 있어서 녹색이나 황색 형광체와 함께 사용하여 연색지수가 높은 백색 LED를 만들 수 있다.

Figure

Table